江苏超芯星半导体有限公司
新闻中心
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03/262021
顶 高温化学气相沉积法（HTCVD）生长碳化硅晶体简...
超芯星在国内率先推出HTCVD法碳化硅单晶生长炉，将有助于提高碳化硅单晶衬底片质量、加大碳化硅衬底片供应力度、降低碳化硅衬底片成本，推动器件更新换代以及半导体产业整体升级，早日打破国际技术壁垒，实现第三代半导体国产化。
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12/042020
顶 官宣：国内首台套HTCVD碳化硅(SiC)单晶生...
江苏超芯星半导体国内首台套HTCVD碳化硅(SiC)单晶生长设备研制成功！
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11/262020
顶 公告
针对近期有行业内公司和个人假借我公司刘欣宇博士虚假宣传、融资等行为，特作出如下公告
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09/082020
超芯星完成A轮融资，发力6英寸碳化硅衬底生产
近日，江苏超芯星半导体有限公司（以下简称“超芯星”）完成A轮融资，投资方为南京江北新区扬子国投与金雨茂物投资共同发起设立的南京扬子区块链股权投资基金，将共同为第三代半导体产业协同发展。