超芯星推出大尺寸碳化硅晶体

碳化硅市场已经初具规模，但衬底材料仍是瓶颈，当前碳化硅衬底短缺且昂贵，是行业最大的痛点。

全球碳化硅衬底主要来自美国Cree和II-VI企业，其已实现6英寸碳化硅单晶衬底规模化量产，并计划几年内升级为8英寸，大尺寸化趋势已经形成。

江苏超芯星半导体有限公司目前已推出大尺寸碳化硅单晶产品，满足不同客户的需求。

碳化硅小知识

碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，因其禁带宽度大于2.2eV被称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。

在半导体业内从材料端分为：第一代元素半导体材料，如硅（Si）和锗(Ge)；第二代化合物半导体材料：如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；第三代宽禁带半导体材料，如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）等。

相比传统的硅半导体材料，碳化硅拥有3倍的禁带宽度、3倍的热导率、10倍的击穿场强、以及10倍的电子饱和漂移速率。因此用碳化硅制备的器件可实现电力电子系统的小型化、轻量化、高效化和低耗化，更适用于高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波等电子应用领域。

丰田全碳化硅模组的功率控制单元（PCU），相比之下，仅为传统硅PCU的体积的1/5，重量减轻35%，电力损耗从20%降低到5%，提升混动车10%以上的经济性。此外知名电动车厂商特斯拉的也采用了全碳化硅模组。

碳化硅可广泛应用于5G通讯、航空航天、轨道交通、电动汽车、光伏储能、风力发电、智能电网、高压输配电和电能变换、电机控制、节能建筑等重要国防和民用领域，是推动战略性新兴产业的重要支撑。