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碳化硅晶片位错密度检测 ---碳化硅KOH腐蚀检测

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碳化硅晶片位错密度检测

---碳化硅KOH腐蚀检测

一、检测方法原理

缺陷择优腐蚀是表征晶体质量的一个快速、有效的方法,特别是对于半导体单晶来说,腐蚀坑的形状和密度呈现出了单晶的缺陷类型以及缺陷密度。SiC单晶衬底在碱性腐蚀剂中容易产生各向异性的腐 蚀,也就是不同晶向的腐蚀速度会有所差异。同时,又因为腐蚀速度的各向异性,导致在有缺陷的地方出现形状规则的腐蚀坑,腐蚀坑的形状和最密排面的原子排列方式有关。

采用KOH化学腐蚀(KOH高温腐蚀)技术从Si面显示SiC衬底或外延材料中的位错缺陷,用光学显微镜观察样品表面腐蚀坑,根据腐蚀坑的尺寸及形貌不同,可将腐蚀坑分为三类,如下图1所示为我司腐蚀碳化硅晶片的位错形貌的放大结果,包含螺位错(TSD),刃位错(TED),以及面位错(BPD)等。

将腐蚀坑归类并计算每个视野内的位错密度,最后计算晶片内的位错密度及其分布情况,如图2所示的柱状图,或图3所示的二维平面图。

二、检测标准

1. GB_T 30868-2014 《碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法》

2.T/CASA 013-2021 《碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法》

三、检测样品要求

碳化硅抛光片衬底或外延片,样品直径200mm以内,厚度不限。

联系电话:025-58573912

邮箱:info@hypersics.com

碳化硅晶片位错密度检测 ---碳化硅KOH腐蚀检测
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