碳化硅晶片位错密度检测 ---碳化硅KOH腐蚀检测
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碳化硅晶片位错密度检测
---碳化硅KOH腐蚀检测
一、检测方法原理
缺陷择优腐蚀是表征晶体质量的一个快速、有效的方法，特别是对于半导体单晶来说，腐蚀坑的形状和密度呈现出了单晶的缺陷类型以及缺陷密度。SiC单晶衬底在碱性腐蚀剂中容易产生各向异性的腐 蚀，也就是不同晶向的腐蚀速度会有所差异。同时，又因为腐蚀速度的各向异性，导致在有缺陷的地方出现形状规则的腐蚀坑，腐蚀坑的形状和最密排面的原子排列方式有关。
采用KOH化学腐蚀（KOH高温腐蚀）技术从Si面显示SiC衬底或外延材料中的位错缺陷，用光学显微镜观察样品表面腐蚀坑，根据腐蚀坑的尺寸及形貌不同，可将腐蚀坑分为三类，如下图1所示为我司腐蚀碳化硅晶片的位错形貌的放大结果,包含螺位错（TSD），刃位错（TED），以及面位错（BPD）等。
将腐蚀坑归类并计算每个视野内的位错密度，最后计算晶片内的位错密度及其分布情况，如图2所示的柱状图，或图3所示的二维平面图。
二、检测标准
1. GB_T 30868-2014 《碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法》
2.T/CASA 013-2021 《碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法》
三、检测样品要求
碳化硅抛光片衬底或外延片，样品直径200mm以内，厚度不限。
联系电话：025-58573912
邮箱：info@hypersics.com
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