Hypersics Launches High-Purity P-Type SiC Substrates Globally, Addressing Metal Impurity Challenges and Enabling the Next Upgrade of the IGBT Industry

Today, Hypersics Co., Ltd. officially announced the global launch of its High-Purity P-Type SiC Substrate. This new product directly addresses one of the most persistent challenges limiting the global development of P-type SiC substrates by reducing critical metal impurities—including Fe, Ni, Cr, and V—by several orders of magnitude, achieving a breakthrough transition from the conventional ppm level to the advanced ppb level.

This advancement delivers a significant improvement in material quality and device reliability for ultra-high-voltage IGBT applications, while filling a long-standing gap in high-end, high-purity P-type SiC substrates. It also provides a robust materials foundation for strategic industries such as new energy, smart grids, and advanced power infrastructure, opening a new chapter for next-generation high-voltage power devices.

As a core material of third-generation semiconductors, silicon carbide is valued for its high breakdown field, excellent thermal conductivity, and superior high-voltage and high-temperature performance. P-type SiC substrates are essential for ultra-high-voltage IGBT fabrication, yet have long been constrained by metallic impurities that form deep-level recombination centers, leading to increased losses, degraded switching performance, and reduced long-term reliability.

By fundamentally overcoming this bottleneck, Hypersics’ High-Purity P-Type SiC substrates set a new benchmark for material purity and enable the next leap forward in ultra-high-voltage power semiconductor technology.