行业首推！—— 超芯星定制化大偏角4H N型SiC衬底，筑牢AI算力领域可靠性基石

近日，超芯星（Hypersics Co., Ltd）在第三代半导体材料领域再次实现技术突破，率先推出定制化大偏角4H N型SiC衬底，为高压、高可靠性功率器件提供核心材料解决方案！该产品可适配 AI 高端算力领域相关装备，同时也为 HVDC、SST等高压装备提供关键材料支撑，进一步拓宽了应用场景。

该衬底凭借大偏角设计，可高效抑制基平面位错（BPD），并减少堆垛层错（SF）扩展，精准解决传统SiC衬底在高压场景下的缺陷难题。其能显著提升器件体寿命，保障器件在高压、大电流工况下稳定运行，不仅完美适配新能源汽车、轨道交通、数据中心等对缺陷敏感的高端功率器件需求，更能满足 AI 高端算力服务器、算力中心供电系统及HVDC、SST对核心器件稳定性、耐用性以及能量转换效率的严苛要求，为高端应用场景的持续发力筑牢材料基础。

作为国内SiC衬底技术创新标杆，超芯星此次突破进一步强化了公司在高端SiC材料领域的领先优势，助力我国第三代半导体产业实现关键材料自主可控，也为 AI 高端算力领域及HVDC、SST的发展提供了核心材料支撑，推动高压功率器件性能与可靠性全面升级。

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