微米精工・薄无止境 | 超芯星 SiC 器件晶圆背面减薄服务

 随着新能源汽车、储能、高压电源等下游应用市场快速发展，宽禁带功率器件持续向小型化、低导通损耗方向演进，晶圆背面减薄是提升器件散热性能、降低导通电阻的关键工艺环节。

 超芯星依托成熟的精密研磨与应力调控技术，可为客户的碳化硅器件晶圆提供背面减薄加工服务，可减薄至100μm厚度，均匀性可控，低翘曲、低表面损伤，可稳定批量交付，无缝衔接后续金属化、划片等后道工序，助力客户新品迭代与性能验证。

 从片盒承载、晶圆平整度到最终表面形貌，每一道工序严控品质，在实现超薄化的同时，最大程度保护正面器件结构，兼顾器件可靠性与工艺良率。

 以微米精工，释放碳化硅的性能潜力。超芯星持续深耕 SiC 晶圆加工，为功率半导体客户提供稳定、高效的配套工艺解决方案，携手推进第三代半导体产业高质量发展。

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